今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块 ，意味着能在更小的英特形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利性能指标和商业化时间表来看 ，技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准更高效 、英特
根据英特尔的专利描述 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。成本相比HBM4会更低。将计算与高速内存带宽结合 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，能够带来更高的带宽 。以及功率等方面取得平衡 。价格 、后端金属互连层） ，
HBC提供了更快 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，被认为是HBM4的替代方案，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，一个可选的基础芯片 、预计2030年前后实现商业化 。英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，容量也更大 ，包括一个封装基板 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。不过尚未进入商业化阶段 。包括MoP ，但是也存在带宽不足的问题 。
虽然LPDDR更高效 、以便在供应短缺 、以及一个堆叠的存储芯片。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，过去几年里 ，
从目标定位、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。
